YOGYAKARTA - Samsung Electronics Co. mengatakan bahwa pihaknya telah memulai produksi massal semikonduktor 3-nanometer, meningkatkan kinerja di simpul proses pembuatan chip paling canggih.
Chip 3nm generasi berikutnya dibangun di atas teknologi Gate-All-Around (GAA), yang menurut Samsung pada akhirnya akan memungkinkan pengurangan area hingga 35 persen sambil memberikan kinerja 30 persen lebih tinggi dan konsumsi daya 50 persen lebih rendah, dibandingkan dengan proses FinFET yang ada seperti yang dikutip VOI dari ANTARA.
Memproduksi Chip 3nm
Samsung mengatakan generasi pertama dari node proses 3nm mencapai pengurangan area 16 persen, kinerja 23 persen lebih tinggi dan konsumsi daya 45 persen lebih rendah.
Kemajuan dalam teknologi pembuatan chip yang canggih diharapkan dapat membawa lebih banyak pelanggan Samsung yang mencari semikonduktor inovatif dan kuat yang akan memungkinkan produk teknologi lebih cepat dan lebih efisien.
BACA JUGA:
-
| BERITA
Berita Teknologi: Toyota Akan Segera Produksi Apple Car, Siap Mengaspal di 2024!
06 September 2021, 17:14 -
| TEKNOLOGI
TSMC Produksi Chip 3Nm Pada 2023, Makin Hemat Daya Ponsel Hingga 30 Persen
19 Oktober 2021, 12:00 -
| TEKNOLOGI
Samsung Konfirmasi Penggunaan Chip Exynos 2500 3nm untuk Seri Galaxy S25
02 Agustus 2024, 11:35
Saatnya merevolusi pemberitaan di Jogja.Voi.id!